BSC0504NSIATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0504NSIATMA1 توسط Infineon و BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0504NSIATMA1 BSC027N04LSGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
ولتاژ آستانه گیت [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
مقاومت حرارتی [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +150°C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
وضعیت RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
اتلاف توان (TC=25°C) — 83 W
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
سطح MSL — 1
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت