BSC0504NSIATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC0504NSIATMA1 bằng Infineon và BSC027N04LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching

BSC0504NSIATMA1 - 30V 21A N-MOSFET | Infineon | Power Switching

BSC0504NSIATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC0504NSIATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
Hộp PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
Điện áp mức ngưỡng cửa [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Kháng nhiệt [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +150°C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
Trạng thái RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Tiêu hao điện năng (TC=25°C) — 83 W
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
Cấp MSL — 1
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá