BSC054N04NSGATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC054N04NSGATMA1 द्वारा Infineon और IPB020NE7N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS
IPB020NE7N3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC054N04NSGATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC054N04NSGATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 81 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 57 W | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Lead-Free Reflow | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 2.0 mΩ typical (per part number code) |
| Configuration | — | Single |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) |