BSC054N04NSGATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC054N04NSGATMA1 tarafından Infineon ve IPB020NE7N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC054N04NSGATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC054N04NSGATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 81 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 57 W | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +175C (junction) |
| Paket | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Lead-Free Reflow | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 2.0 mΩ typical (per part number code) |
| Configuration | — | Single |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) |