BSC054N04NSGATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC054N04NSGATMA1 bằng Infineon và IPB020NE7N3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB020NE7N3GATMA1 - 75V 120A N-Channel MOSFET | Infineon OptiMOS
IPB020NE7N3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC054N04NSGATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC054N04NSGATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 81 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 57 W | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55C to +175C (junction) |
| Hộp | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Lead-Free Reflow | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 2.0 mΩ typical (per part number code) |
| Configuration | — | Single |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) |