BSC072N08NS5ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC072N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC014N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC072N08NS5ATMA1 - 80V 74A N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC072N08NS5ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC072N08NS5ATMA1 | BSC014N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 74 A | 100 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 7.2 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | 156 W |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Shipping Pack | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| Standard Pack Quantity | 5000 | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.45 mOhm |