BSC072N08NS5ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC072N08NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC014N06NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC072N08NS5ATMA1 BSC014N06NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 156 W
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت