BSC109N10NS3GATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC109N10NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC12DN20NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC109N10NS3GATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 63 A | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | 50 W |
| RDS(on) Max | 10.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS power MOSFET |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | 26 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पिन काउंट | 8 | 8 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel |