BSC109N10NS3GATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC109N10NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC12DN20NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC109N10NS3GATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 63 A | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | 50 W |
| RDS(on) Max | 10.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS power MOSFET |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | 26 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Pin Sayısı | 8 | 8 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel |