BSC146N10LS5ATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC146N10LS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC118N10NSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC118N10NSGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC146N10LS5ATMA1 | BSC118N10NSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 5 (logic-level) | Trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 14.6 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (typ. ~1.7 V) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (TJ max) | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 2 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement (Normal Level) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 114 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +150 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per target application |
| Target Application | — | High-frequency SMPS, synchronous rectification |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |