BSC146N10LS5ATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC146N10LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC118N10NSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC146N10LS5ATMA1 | BSC118N10NSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 (logic-level) | Trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 14.6 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (typ. ~1.7 V) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (TJ max) | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 2 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement (Normal Level) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 114 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +150 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per target application |
| Target Application | — | High-frequency SMPS, synchronous rectification |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |