BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC0993NDATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC360N15NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC0993NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC360N15NS3GATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC360N15NS3GATMA1 BSC0993NDATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
पैकेज PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TISON-8
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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