BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC0993NDATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC360N15NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC0993NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC360N15NS3GATMA1 BSC0993NDATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TISON-8
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C (junction)
Avalanche Energy Rated Yes —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
רמת MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר