BSD235CH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSD235CH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSD235CH6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | OptiMOS (enhancement mode) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free) | — |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| पिन काउंट | 6 | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| पैकेज | — | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |