BSD235CH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSD235CH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSP315PH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSD235CH6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | OptiMOS (enhancement mode) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free) | — |
| רמת MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| מספר פינים | 6 | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| מארז | — | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |