BSD235CH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSD235CH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP315PH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSD235CH6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | OptiMOS (enhancement mode) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (lead-free) | — |
| Cấp MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Số chân | 6 | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Hộp | — | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |