BSL308CH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSL308CH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSL308CH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
पैकेज PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V [DATA_NEEDED: Qg typical]
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (junction)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon product family convention) —
FET Type — P-Channel
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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