BSL308CH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL308CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP315PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSL308CH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
پیکیج PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V [DATA_NEEDED: Qg typical]
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (junction)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product family convention) —
FET Type — P-Channel
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں