BSL308CH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSL308CH6327XTSA1 توسط Infineon و BSP315PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSL308CH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
بسته‌بندی PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V [DATA_NEEDED: Qg typical]
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (junction)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family convention) —
FET Type — P-Channel
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت