BSP135H6906XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP135H6906XTSA1 द्वारा Infineon और BSD214SNH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSP135H6906XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA —
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C -55C to +150C (junction)
पैकेज PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
MSL स्तर 1 (unlimited) 1
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) AEC-Q101 qualified
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Lead Plating — Pb-free
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

डेटाशीट और संसाधन

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