BSP135H6906XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP135H6906XTSA1 tarafından Infineon ve BSD214SNH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP135H6906XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA —
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) AEC-Q101 qualified
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Lead Plating — Pb-free
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin