BSP295H6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP295H6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSL606SNH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP295H6327XTSA1 | BSL606SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | 1.8 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 300 mΩ | — |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Tape and Reel Packing Code | H6327 (7-inch reel) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | Planar N-channel MOSFET | OptiMOS3 trench MOSFET |
| Drain Tab Connection | Pin 4 (tab) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 4.5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.6 nC (max) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |