BSS138LT1G vs 2N7002L तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS138LT1G द्वारा onsemi और 2N7002L द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSS138LT1G BSS138LT1G - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138LT1G - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138LT1G ✓ सक्रिय
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2N7002L 2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS138LT1G 2N7002L
ब्रांड onsemi onsemi
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 1 V to 2.5 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
पैकेज SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 (SOT-23-3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS स्थिति Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Technology — High cell density trench MOSFET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Manufacturer — onsemi

डेटाशीट और संसाधन

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