BSS138LT1G vs 2N7002L השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS138LT1G מאת onsemi ו 2N7002L מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSS138LT1G 2N7002L
מותג onsemi onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 1 V to 2.5 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
מארז SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 (SOT-23-3)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
סטטוס RoHS Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Technology — High cell density trench MOSFET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Manufacturer — onsemi

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר