BSS138LT1G vs 2N7002L Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS138LT1G tarafından onsemi ve 2N7002L tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS138LT1G 2N7002L
Marka onsemi onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 1 V to 2.5 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
Paket SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Durumu Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Technology — High cell density trench MOSFET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Manufacturer — onsemi

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin