BSS138NH6327XTSA2 vs BSS138L तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS138NH6327XTSA2 द्वारा Infineon और BSS138L द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ सक्रिय
onsemi
BSS138L BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS138NH6327XTSA2 BSS138L
ब्रांड Infineon onsemi
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA 200 mA
Power Dissipation (Ta) 360 mW 350 mW
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
पैकेज PG-SOT-23 (3-pin) SOT-23-3
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
हैलोजन फ्री Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel 3000 units per reel (tape and reel)
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Technology — Trench MOSFET, high cell density
Gate Type — Logic Level
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
इनपुट कैपेसिटेंस — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]

डेटाशीट और संसाधन

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