BSS138NH6327XTSA2 vs BSS138L השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS138NH6327XTSA2 מאת Infineon ו BSS138L מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSS138NH6327XTSA2 BSS138L
מותג Infineon onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA 200 mA
Power Dissipation (Ta) 360 mW 350 mW
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
מארז PG-SOT-23 (3-pin) SOT-23-3
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
נטול הלוגנים Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel 3000 units per reel (tape and reel)
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Technology — Trench MOSFET, high cell density
Gate Type — Logic Level
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
קיבול כניסה — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
סטטוס RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר