BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS83PH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS308PEH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS83PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS308PEH6327XTSA1 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | — |
| पैकेज / केस | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | Automotive grade per Infineon |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +150 C |
| पैकेज | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |