BSS316NH6327XTSA1 vs BSS306NH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS316NH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS306NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS316NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS 2 (Trench) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज -55 C to +150 C —
पैकेज PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) Pb-free (RoHS compliant)
MSL स्तर MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS स्थिति Compliant —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
ऑपरेटिंग तापमान — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

डेटाशीट और संसाधन

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