BSS316NH6327XTSA1 vs BSS306NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS316NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS306NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS316NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS 2 (Trench) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) Pb-free (RoHS compliant)
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin