BSS84-7-F-W vs BSS84PH6327XTSA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS84-7-F-W द्वारा Diodes Incorporated और BSS84PH6327XTSA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS84-7-F-W | BSS84PH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Diodes Incorporated | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Channel Type | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 130 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 300 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 10 Ohm (max, per Future Electronics listing) | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) | [DATA_NEEDED: Vgs threshold] | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| पैकेज | SOT-23-3 | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Finish | Matte Tin plated, solderable per MIL-STD-202 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C |
| Packaging | Tape & Reel (3K per reel, -W suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Technology | Si (silicon DMOS) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS84PH6327XTSA2 |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -170 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 360 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 8 ohm at VGS = -10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Technology Family | — | SIPMOS OptiMOS |
| Polarity | — | P-Channel Enhancement Mode |
| Lead-Free | — | Yes |