BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ011NE2LS5IATMA1 द्वारा Infineon और BSC015NE2LS5IATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ011NE2LS5IATMA1 | BSC015NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | -55C to +150C (junction) |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 50 W |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |