BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ031NE2LS5ATMA1 द्वारा Infineon और BSZ0901NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ031NE2LS5ATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ031NE2LS5ATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
| Technology / Platform | OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 19 A | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 3.1 mOhm | — |
| RDS(on) typical @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 30 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +150 C | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| Technology | — | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |