BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ031NE2LS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ0901NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ0901NSIATMA1
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Series — OptiMOS 25V
Technology — OptiMOS trench N-channel MOSFET
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Pin Sayısı — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin