BSZ0901NSIATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ0901NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC014NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ0901NSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (typical MOSFET range) —
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +150 °C
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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