BSZ0901NSIATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ0901NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC014NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ0901NSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
Paket PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (typical MOSFET range) —
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +150 °C
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin