BSZ0901NSIATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0901NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC014NE2LSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ0901NSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
מארז PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (typical MOSFET range) —
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +150 °C
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר