BSZ0904NSIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ0904NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSZ0901NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ0904NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology OptiMOS (N-channel power MOSFET) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 4 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Power Dissipation at Ta 2.1 W —
Power Dissipation at Tc 37 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Integrated Schottky-like Diode Yes (monolithic) —
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Lead Plating Pb-free —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
पिन काउंट — 8
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध