BSZ110N08NS5ATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ110N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon और IPD70N10S312ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSZ110N08NS5ATMA1 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +175C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited floor life) |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |