DMN3190LDW-7 vs JMTG100N06A तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना DMN3190LDW-7 द्वारा Diodes Incorporated और JMTG100N06A द्वारा Jiejie Micro. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | DMN3190LDW-7 | JMTG100N06A |
|---|---|---|
| ब्रांड | Diodes Incorporated | Jiejie Micro |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 1 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 320 mW | — |
| पैकेज | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin | PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C | — |
| Configuration | Dual, independent drains | — |
| Technology | Silicon N-Channel MOSFET | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Factory Pack Quantity | 3000 | — |
| Manufacturer | — | Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel Power Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current I(D) | — | 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) |
| R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V | — | 7.7 mΩ |
| R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V | — | 8.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ | — | 1.5 V |
| Plating | — | Pb-free |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| UIS (Avalanche) Tested | — | 100 % |
| V(DS) Tested | — | 100 % |
| EAS Test Condition | — | T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A |
| Primary Applications | — | Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive |