E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16TB-062E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना E3AD8G16A4-HR द्वारा ELIXIR/NANYA और MT40A512M16TB-062E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | E3AD8G16A4-HR | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| ब्रांड | ELIXIR/NANYA | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $60.00 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| CAS लेटेंसी | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (TCASE) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |