EP1S30F780C7AA vs EP1S30F780C8 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP1S30F780C7AA द्वारा Intel और EP1S30F780C8 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP1S30F780C7AA | EP1S30F780C8 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | अंतिम बार खरीदें |
| Family | Stratix | Stratix (EP1S) |
| Logic Elements | 32,470 | 32,470 |
| Total Memory Bits | 3,317,184 | — |
| Maximum User I/O | 597 | 597 |
| पैकेज | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) | 780-ball FC-FBGA (F780) |
| Speed Grade | -7 | C8 (Commercial, grade 8) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | 0 °C to 85 °C (Commercial) |
| Core Voltage | 1.5 V (VCCINT) | — |
| I/O Standards Supported | LVTTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, PCI, PCI-X | — |
| DSP Blocks | Embedded multiplier blocks (9x9, 18x18, 36x36) | — |
| DSP Performance | Up to 2.1 GMACS at -7 speed grade | — |
| PLLs | Multi-PLL architecture | — |
| Configuration Modes | Passive Serial, Fast Passive Parallel, JTAG | PS, PPS, PPA, FPP, JTAG |
| Process Node | 0.13 µm SRAM | — |
| MSL स्तर | 3 (168 Hours) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Logic Family | — | CMOS |
| Process Technology | — | 130 nm |
| Core Supply Voltage | — | 1.5 V |
| Maximum Operating Frequency | — | 357.14 MHz |
| Package Size | — | 29 mm × 29 mm |
| Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| माउंटिंग स्टाइल | — | Surface Mount (SMD) |
| Memory Interface Support | — | DDR, DDR2, QDR, ZBT SRAM |
| I/O Standards | — | LVDS, LVPECL, PCI, PCI-X, HSTL, SSTL |
| RoHS स्थिति | — | Non-compliant (legacy SnPb ball finish) |