EP1S30F780C7AA vs EP1S30F780C8 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP1S30F780C7AA 제조: Intel 및 EP1S30F780C8 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP1S30F780C7AA | EP1S30F780C8 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 최종 구매 | 최종 구매 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $142.00 | $175.00 |
| Family | Stratix | Stratix (EP1S) |
| Logic Elements | 32,470 | 32,470 |
| Total Memory Bits | 3,317,184 | — |
| Maximum User I/O | 597 | 597 |
| 패키지 | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) | 780-ball FC-FBGA (F780) |
| Speed Grade | -7 | C8 (Commercial, grade 8) |
| 동작 온도 | 0C to +85C (commercial) | 0 °C to 85 °C (Commercial) |
| Core Voltage | 1.5 V (VCCINT) | — |
| I/O Standards Supported | LVTTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, PCI, PCI-X | — |
| DSP Blocks | Embedded multiplier blocks (9x9, 18x18, 36x36) | — |
| DSP Performance | Up to 2.1 GMACS at -7 speed grade | — |
| PLLs | Multi-PLL architecture | — |
| Configuration Modes | Passive Serial, Fast Passive Parallel, JTAG | PS, PPS, PPA, FPP, JTAG |
| Process Node | 0.13 µm SRAM | — |
| MSL 레벨 | 3 (168 Hours) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Logic Family | — | CMOS |
| Process Technology | — | 130 nm |
| Core Supply Voltage | — | 1.5 V |
| Maximum Operating Frequency | — | 357.14 MHz |
| Package Size | — | 29 mm × 29 mm |
| Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| 장착 스타일 | — | Surface Mount (SMD) |
| Memory Interface Support | — | DDR, DDR2, QDR, ZBT SRAM |
| I/O Standards | — | LVDS, LVPECL, PCI, PCI-X, HSTL, SSTL |
| RoHS 상태 | — | Non-compliant (legacy SnPb ball finish) |