EP3C10F256I7N vs EP3C10F256C6 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C10F256I7N द्वारा Intel और EP3C10F256C6 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C10F256I7N | EP3C10F256C6 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Device Type | FPGA | — |
| Logic Elements (LE) | 10,320 | 10,320 |
| Logic Blocks | 10,320 | — |
| Embedded Memory | 423,936 bits | — |
| Total Memory Bits | 423,936 | 423,936 bits |
| Maximum User I/O | 182 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 46 | 23 |
| PLLs | 2 | 2 |
| Process Technology | 65 nm | 60 nm low-power CMOS |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| पैकेज | 256-LBGA (FineLine BGA) | 256-FBGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C (Industrial) | -40 C to +125 C (industrial, suffix 'C') |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (lead-free FBGA) |
| Lead Free | Yes | — |
| MSL स्तर | 3 | 3 (168 hours) |
| Maximum User I/Os | — | 182 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.15 V to 1.25 V (typ. 1.2 V) |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent) |
| Configuration Memory | — | SRAM-based (external EPCS flash required) |
| Speed Grade | — | 6 |