EP3C40F780C6N vs EP3C40F780C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C40F780C6N द्वारा Intel और EP3C40F780C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C40F780C6N | EP3C40F780C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | सक्रिय |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements | 39,600 | 39,600 LE |
| Embedded Memory Bits | 1,161,216 | — |
| Embedded Memory (Kbytes) | 113 | — |
| M9K Memory Blocks | 126 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 4,065 | — |
| Maximum User I/O Pins | 535 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Process Technology | 60 nm CMOS | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Speed Grade | 6 (commercial) | 7 (C7, commercial) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| पैकेज | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| Package Dimensions | 29 x 29 mm | — |
| Ball Pitch | 1.0 mm | — |
| Package Height | 2.6 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (FBGA) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Configuration Method | SRAM, JTAG via USB-Blaster | JTAG, Active Serial, Passive Serial |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Total RAM Bits | — | 1,161,216 bits |
| Embedded Multipliers | — | 126 (18x18) |
| User I/Os | — | 535 |
| Process Node | — | 65 nm TSMC low-power |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.2 V |
| Global Clock Networks | — | 20 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (N suffix) |
| Moisture Sensitivity Level | — | MSL3 (per J-STD-020) |