EP3C55F780C7N vs EP3C40F780C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C55F780C7N द्वारा Intel और EP3C40F780C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C55F780C7N | EP3C40F780C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements | 55,856 | 39,600 LE |
| Embedded Memory | 2,396,160 bits (approximately 2.4 Mbit) | — |
| Embedded Memory Blocks | 312 M9K blocks | — |
| Embedded Multipliers | 156 (18 x 18) | 126 (18x18) |
| User I/O Count | 377 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | 20 |
| Configuration Memory | 8 Kbits (supports PS, FPP, JTAG) | — |
| Process Technology | 65 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial, C7 speed grade) | 0C to +85C (commercial) |
| पैकेज | 780-ball FineLine BGA | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| Speed Grade | 7 | 7 (C7, commercial) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Total RAM Bits | — | 1,161,216 bits |
| User I/Os | — | 535 |
| Process Node | — | 65 nm TSMC low-power |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.2 V |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial, Passive Serial |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (N suffix) |
| Moisture Sensitivity Level | — | MSL3 (per J-STD-020) |