EP3C55F780C7N vs EP3C40F780C7N Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP3C55F780C7N tarafından Intel ve EP3C40F780C7N tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | EP3C55F780C7N | EP3C40F780C7N |
|---|---|---|
| Marka | Intel | Intel |
| Kategori | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements | 55,856 | 39,600 LE |
| Embedded Memory | 2,396,160 bits (approximately 2.4 Mbit) | — |
| Embedded Memory Blocks | 312 M9K blocks | — |
| Embedded Multipliers | 156 (18 x 18) | 126 (18x18) |
| User I/O Count | 377 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | 20 |
| Configuration Memory | 8 Kbits (supports PS, FPP, JTAG) | — |
| Process Technology | 65 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank) | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C (commercial, C7 speed grade) | 0C to +85C (commercial) |
| Paket | 780-ball FineLine BGA | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| Speed Grade | 7 | 7 (C7, commercial) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Total RAM Bits | — | 1,161,216 bits |
| User I/Os | — | 535 |
| Process Node | — | 65 nm TSMC low-power |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.2 V |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial, Passive Serial |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (N suffix) |
| Moisture Sensitivity Level | — | MSL3 (per J-STD-020) |