EP3C55F780C7N vs EP3C40F780C7N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3C55F780C7N מאת Intel ו EP3C40F780C7N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3C55F780C7N | EP3C40F780C7N |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements | 55,856 | 39,600 LE |
| Embedded Memory | 2,396,160 bits (approximately 2.4 Mbit) | — |
| Embedded Memory Blocks | 312 M9K blocks | — |
| Embedded Multipliers | 156 (18 x 18) | 126 (18x18) |
| User I/O Count | 377 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | 20 |
| Configuration Memory | 8 Kbits (supports PS, FPP, JTAG) | — |
| Process Technology | 65 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank) | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C (commercial, C7 speed grade) | 0C to +85C (commercial) |
| מארז | 780-ball FineLine BGA | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| Speed Grade | 7 | 7 (C7, commercial) |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Total RAM Bits | — | 1,161,216 bits |
| User I/Os | — | 535 |
| Process Node | — | 65 nm TSMC low-power |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.2 V |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial, Passive Serial |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (N suffix) |
| Moisture Sensitivity Level | — | MSL3 (per J-STD-020) |