EP3SE110F780I3N vs EP3SE110F780I4L तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE110F780I3N द्वारा Intel और EP3SE110F780I4L द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE110F780I3N EP3SE110F780I4L
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND NRND
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements 107,500 107,500
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 (approximately 1.1 MB) —
Maximum User I/Os 488 —
Core Voltage 1.1 V (range 1.05 V to 1.15 V) 0.9 V
Process Technology 65 nm CMOS 65 nm CMOS
पैकेज 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip FineLine BGA) 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip BGA)
ऑपरेटिंग तापमान -40 °C to +100 °C (Industrial, "I" grade) —
Configuration Interface Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), JTAG (IEEE 1149.1) —
Boundary-Scan Test Yes, per IEEE Std. 1149.1 —
Speed Grade 3 (Fast) —
PLLs Yes, with global and regional clock networks —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount (FC-FBGA)
RoHS स्थिति Compliant Compliant (per legacy Altera data)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
Supply Voltage Tolerance 1.05 V to 1.15 V —
LABs (Logic Array Blocks) — 4,300
User I/Os — 488
Embedded Memory — 8,936,448 bits (8.9 Mbit)
Maximum Operating Frequency — 375 MHz
Package Body Size — 29 mm × 29 mm
Ball Pitch — 1.0 mm
Operating Temperature (Industrial) — -40 °C to +100 °C
Product Status — Not Recommended for New Designs (NRND)

डेटाशीट और संसाधन

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