EP3SE80F780C2N vs EP3SE110F780C3N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE80F780C2N द्वारा Intel और EP3SE110F780C3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE80F780C2N | EP3SE110F780C3N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | सक्रिय |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements (LE) | 80,000 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 3,200 | 4,300 |
| Embedded Memory | 6,843,392 bits | TriMatrix (MLAB + M9K + M144K) |
| User I/Os | 488 | 488 |
| Process Technology | 65 nm | 65 nm |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.1 V | — |
| Auxiliary Voltage (VCCAUX) | 0.9 V | — |
| पैकेज | 780-Ball FC-FBGA | 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) |
| Package Code | F780 | — |
| Speed Grade | C2 | — |
| Maximum Operating Frequency | 600 MHz | 500 MHz |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to +85C) | Commercial (C suffix) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Logic Elements (LEs) | — | 107,500 |
| Embedded Memory Bits | — | 8,936,448 |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| DSP Blocks | — | Yes (integrated, count varies by configuration) |
| Transceiver Channels | — | 8 (multi-gigabit) |
| Configuration Method | — | Serial / Parallel via Quartus II |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |